用于后段金属工艺监控的测试结构、测试电路和测试芯片

本发明涉及一种用于后段金属工艺监控的测试结构、测试电路和测试芯片，包括同层的多根第一金属线、多根第二金属线和至少一根第三金属线；所述第一金属线、第二金属线和第三金属线都沿着第一方向延伸，且所述第一金属线和第二金属线间隔交错布置，第三金属线布置在所述第四金属线和第五金属线之间；所述第一金属线的一端、第二金属线的一端各自延伸共接至沿着第二方向延伸的第四金属线、第五金属线，将所述第四金属线作为第一引脚，将所述第五金属线作为第二引脚；所述第三金属线的两端各设置有至少一个第三引脚。通过可同时监控金属电阻和MOM电容的测试结构设计，可以在相同的位置监控金属的电阻和电容，达到对后段金属制备工艺的监控。