一种在任何基底上生长单层二维材料的方法

本发明公开了一种在任何基底上生长单层二维材料的方法，步骤一、基底准备与预处理；步骤二、原位CVD生长系统初始化；步骤三、二维材料生长启动；步骤四、AI识别系统实时监测与分析；步骤五、AI控制飞秒激光蚀刻模块精准去除多层区域；步骤六、生长与去除过程动态调整；步骤七、单层二维材料生长完成确认；步骤八、样品取出与检测；本发明整合了原位CVD生长、AI实时识别与飞秒激光精准刻蚀三大技术，形成了一套系统化、自动化的单层二维材料生长方案，实现了在任意基底上单层二维材料的可控制备，突破了传统方法对特定基底的依赖。