一种多基板混合集成且可兼容金属热沉的氮化镓功率模块

本发明涉及功率半导体器件及汽车电子技术领域，尤其涉及一种多基板混合集成且可兼容金属热沉的氮化镓功率模块，包括：GaN芯片，包括上管GaN芯片和下管GaN芯片；DPC基板，设置于上管GaN芯片和下管GaN芯片之间，作为GaN芯片载体并能够通过大电流；FPC驱动信号载体，与DPC基板和GaN芯片连接，集成驱动器件及无源器件；一级热沉基板，选用双面金属化金刚石基板；二级热沉基板，对氮化镓功率模块进行二级散热；冷却板，用于和二级热沉基板进行热交换。本发明创新性的提出了混合3D封装结构。其优异结构特性使得功率模块在保证最小化材料热阻的同时满足驱动集成、负压保护集成、全尺寸热沉以及金属极版兼容，大大提高了散热性能。