摘要
本实用新型公开了一种氮化镓功率器件,属于半导体器件技术领域,包括多个氮化镓功率芯片本体、基板、导热块、封装结构和散热结构,基板用于安装多个氮化镓功率芯片本体,导热块,所述导热块与所述基板上方连接,并且导热块中心开设有用于容纳多个氮化镓功率芯片本体的空腔结构,所述空腔结构上连接有微细金属栅格,多个氮化镓功率芯片本体的电极区域通过微细金属栅格连接;并且导热块距离多个氮化镓功率芯片本体向上的位置开设有滑槽;所述封装结构设于导热块上,用于防护多个氮化镓功率芯片本体;所述散热结构均匀安装在所述导热块的四个侧部,用于给导热块和多个氮化镓功率芯片散热;能够在保证良好散热性能的同时,具备便于拆卸和维修的特点。
技术关键词
氮化镓功率器件
功率芯片
导热块
活动盖板
封装结构
散热结构
散热翅片组
半导体器件技术
栅格
侧部
基板
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