一种基于PCB集成的高压碳化硅功率封装模块及其加工方法

本发明涉及功率半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于PCB集成的高压碳化硅功率封装模块及其加工方法。采用如下技术方案：包括散热器基板、DBC基板、若干碳化硅芯片、PCB板和封装外壳，所述DBC基板焊接于散热器基板上，PCB板位于DBC基板上方，DBC基板上的漏极母排、开尔文源极母排和栅极母排分别经过PCB板并向上依次分别引出开尔文漏极引出端子、开尔文源极引出端子和栅极引出端子；所述封装外壳包覆在散热器基板上方。本发明的有益效果在于：可有效减小驱动回路受主回路的干扰；同时有效将驱动端子和功率端子分离开，减少干扰，提高模块绝缘性能和工作性能；加工过程仅需两道甲酸炉焊接工序，其余为普通焊接，加工过程较为简易，良品率较高。