多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法

本发明公开了一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法，属于集成电路技术领域，该多芯片集成的光电传感器，包括图像传感器芯片，图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域，感光区域上设置透光构件，用于滤除干扰光，边缘区域有多个正面焊盘，用于电信号传输；光源芯片，光源芯片的顶部设置有发光区，底部设置有第一底部焊盘和第二底部焊盘，用于和图像传感器芯片的两个正面焊盘分别连通；RDL重构布线层，贯穿图像传感器芯片，以将图像传感器芯片正面的电信号传递至背面。通过将光源芯片直接芯片键合至CMOS图像传感器表面，大大缩小产品在X、Y和Z方向的尺寸，满足终端产品对于尺寸的需求。