利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法

本发明公开了利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，具体涉及碳化硅材料再利用与晶体制备技术领域；获得具备晶向一致性的再利用单元体；基于所述单元体的晶向参数与热导特性，构建适用于高温热场下的晶体引导模型；将多个单元体阵列排布于长晶炉内设定的多级温区中，形成准定向晶种阵列；在控温及气氛调节条件下，使升华产生的碳化硅气相前驱体在晶种阵列表面实现定向结晶与外延生长；并通过监测晶体生长过程中各单元体的结晶行为，基于应力偏移与晶格取向变化构建反馈调控机制，实时调整热场梯度与原料供给速率；本发明实现了碳化硅余料的高价值再利用，提升了晶体生长的晶向一致性与结构完整性，具有生长质量稳定和资源利用率高等优点。