一种基于N型半导体的突触晶体管及其制备方法与应用

本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种基于N型半导体的突触晶体管及其制备方法与应用。本发明提供了一种基于N型半导体的突触晶体管，其结构包括依次层叠的衬底、沟道层、修饰层、设置在修饰层两侧的源电极和漏电极以及栅介质层。其中，基于修饰层聚3‑己基噻吩纳米线薄膜与栅介质层离子胶中阳离子的捕获‑释放作用、沟道层氧化铟锡锌对微小信号的快速响应能力、聚3‑己基噻吩纳米线薄膜与氧化铟锡锌的电流强度匹配以及上述各组分协同作用使器件展现出双模态可塑性：毫秒级快速响应和秒级延时程调控模式。该设计突破传统N型半导体突触器件单一时域响应限制，实现多模态神经递质释放动力学的电学模拟，为类脑计算系统提供新型基础器件。