摘要
本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本申请涉及一种包括半导体主体(10)的半导体管芯(1),其中半导体主体(10)的背面(10.2)被结构化为具有多个开口(30),开口(30)沿着第一轴线(41)并且沿着第二轴线(42)被布置成重复图案(40),具有下面的至少一项:i)与沿着第二轴线(42)相比,相应开口(30)的相应宽度(d41,d42)沿着第一轴线(41)更小;ii)与沿着第二轴线(42)相比,邻近开口(30)之间的相应距离(s41,s42)沿着第一轴线(41)更大。
技术关键词
半导体管芯
半导体主体
纵向沟槽
金属化
重复图案
沟槽结构
平面图
电容方式
正面
半导体芯片
椭圆形
干法
蚀刻
系统为您推荐了相关专利信息
深紫外LED器件
封装基板
半球形透镜
封装工艺
深紫外LED芯片
集成封装体
波导
光子集成电路
半导体装置
布线结构