一种大功率平面深钝化隔离芯片的制备方法

本发明属于半导体技术领域，一种大功率平面深钝化隔离芯片的制备方法，包括如下步骤：S1、在硅片表面形成氧化层；S2、去除正面部分区域的氧化层；S3、通过扩散工艺形成预掺杂区；S4、在硅片表面沉积氮化硅钝化层；S5、去除硅片正面部分区域氮化硅钝化层和氧化层，并进行腐蚀，形成隔离带，且隔离带的深度不小于预掺杂区的深度；S6、通过扩散工艺进行对预掺杂区进行推结处理，形成掺杂区；S7、去除硅片表面的氮化硅钝化层和氧化层；S8、对硅片背面进行掺杂处理；S9、进行二次氧化和沉积保护层；S10、进行金属化处理。本发明中工艺形成的芯片易于封装，封装应力小，可靠性更高，更适合大功率大尺寸平面芯片制造。