一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法

一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法，屏蔽栅场效应晶体管包括屏蔽栅、控制栅和源极金属，屏蔽栅和控制栅位于沟槽内，屏蔽栅包括栅体部分和延伸部分，栅体部分位于控制栅下方，延伸部分由栅体部分向上延伸，自控制栅两侧引出至沟槽顶部，或延伸部分自控制栅一侧引出至沟槽顶部；延伸部分的顶部通过配置接触孔结构与源极金属直接接触。本发明较传统SGT中屏蔽栅与控制栅的上下结构，可以在延伸出的屏蔽栅延伸部分顶部开整条接触孔与源极金属直接接触，消除了屏蔽栅电阻，从而避免了屏蔽栅电流电压，消除了屏蔽引入的电压钳位问题，同时改善整体芯片的电荷平衡效应及电场分布，降低电流集中。