一种深紫外LED器件封装工艺

本发明提供一种深紫外LED器件封装工艺，涉及半导体光电器件封装技术领域。该深紫外LED器件封装工艺，包括以下步骤：对深紫外LED芯片进行清洗和表面处理；选用封装基板，对封装基板进行表面金属化处理；使用银胶将经过预处理的深紫外LED芯片固定在封装基板上的预定位置，并采用金丝键合工艺，将深紫外LED芯片的电极与对应的封装基板连接；在深紫外LED芯片周围填充有机硅材料，在其上方覆盖石英玻璃盖板；在封装基板的背面安装金属散热片。本发明通过选用高透光率的石英玻璃盖板和低折射率的含氟有机硅树脂填充材料，减少了光线在封装内部的全反射，提高了光线的出射效率，相比传统封装工艺，出光效率可提高20％‑30％。