改善隔层铜空洞的方法

本发明公开了一种改善隔层铜空洞的方法，包括步骤：提供完成了底层铜层的CMP底层结构。形成第一刻蚀停止层和层间膜。进行AIO刻蚀在层间膜中同时形成通孔开口和沟槽，通孔开口位于部分区域的沟槽底部；AIO刻蚀停止在第一刻蚀停止层的顶部表面上，AIO刻蚀完成后通孔开口底部的第一刻蚀停止层暴露；沟槽具有多种宽度，调节AIO刻蚀的图形负载，以保证宽度最大的沟槽底部的通孔开口底部的第一刻蚀停止层不被刻穿，并从而防止AIO刻蚀中产生的电荷累积到底层铜层表面。进行第二刻蚀工艺以去除各通孔开口底部暴露的第一刻蚀停止层。本发明能改善铜层在下一层工艺中被消耗而形成铜空洞的缺陷。