一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

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一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202510088866
申请日期:2025-01-21
公开号:CN119521893A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括:提供一生长所需的衬底,在衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层;制备N型导电通孔以及隔离道;制备电流扩展层;制备切割道;制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔;制备P型导电金属层;制备第二绝缘层以及第二绝缘层通孔;制备N型导电金属层;制备第三绝缘层以及第三绝缘层通孔;制备N型焊盘以及P型焊盘。
技术关键词
倒装发光二极管芯片 导电金属层 电流扩展层 半导体层 通孔 电感耦合等离子体 P型焊盘 SiO2薄膜 有源发光层 负性光刻胶 刻蚀工艺 涂布光刻胶 表面涂布 氧化铟锡表面 显影工艺 Al2O3薄膜 电子束
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