半导体存储装置

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半导体存储装置
申请号:CN202511235197
申请日期:2025-09-01
公开号:CN120730747B
公开日期:2025-12-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种半导体存储装置,其包括相互层叠的多个半导体芯片,且具有不同于现有技术的新颖结构。半导体存储装置包括相互层叠的内存芯片1‑1、1‑2。内存芯片1‑1、1‑2包括以相同布局配置在内存芯片1‑1、1‑2之间的电路元件和布线。内存芯片1‑1、1‑2各自具有彼此相对的表面和反面、以及配置在表面上的多个第一端子。内存芯片1‑1、1‑2的每一个中,多个第一端子关于与表面和反面正交的对称面呈镜像对称配置。内存芯片1‑1、1‑2以内存芯片1‑1的表面与内存芯片1‑2的表面相接的方式层叠,内存芯片1‑1的多个第一端子与内存芯片1‑2的多个第一端子连接。
技术关键词
半导体芯片 半导体存储装置 端子组 布线 镜像对称 内存 层叠 元件 布局 新颖结构 电路
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