一种基于硅基工艺的圆极化封装天线

本发明公开一种基于硅基工艺的圆极化封装天线，包括：层叠布置的第一硅基介质层、第二硅基介质层、第三硅基介质层、第四硅基介质层和第五硅基介质层；寄生辐射体，设于第一硅基层背离第二硅基介质层一侧的表面；主辐射体，设于第一硅基介质层和第二硅基介质层之间；天线馈电结构，包括：缝隙耦合地板层、探针和金属化过孔；微波芯片，设于第五硅基介质层背离第四硅基介质层的一侧，微波芯片通过金丝键合经金属化过孔连接于探针。本发明提供的基于硅基工艺的圆极化封装天线在毫米波频段使用的介质基板与常见的基板相比具有更高的相对介电常数和封装材料选择的物理限制。