一种功率半导体的封装结构及封装方法

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一种功率半导体的封装结构及封装方法
申请号:CN202511269559
申请日期:2025-09-08
公开号:CN120767266B
公开日期:2025-12-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种功率半导体的封装结构及封装方法,其包括基板、驱动芯片、第一功率芯片、第二功率芯片、低导热塑封层和高导热塑封层;基板上设置有若干焊点及走线,基板上的走线将若干焊点电连接并形成驱动电路;驱动芯片、第一功率芯片和第二功率芯片分别安装在基板上不同的若干焊点上并与基板的走线电连接;驱动芯片被低导热塑封层完全包覆;低导热塑封层、第一功率芯片、第二功率芯片被高导热塑封层完全包覆。通过低导热塑封层对驱动芯片进行封装及高导热塑封层对功率芯片和驱动芯片外的低导热塑封层进行封装,降低功率芯片的热量传递至驱动芯片的效率,同时低导热塑封层和驱动芯片之间的热膨胀系数的差值更小,防止驱动芯片的衬底发生破裂。
技术关键词
功率芯片 驱动芯片 散热铜片 高导热 封装结构 半导体 封装方法 基板 缓冲层 焊点 缝隙 电路 衬底 涂覆 包裹
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