基于物理因果关系建模的半导体异常检测方法及系统

本发明涉及半导体制造质量控制技术领域，具体涉及基于物理因果关系建模的半导体异常检测方法及系统，包括如下依次执行的步骤：S1：获取半导体生产线的多维传感器数据，基于刻蚀工艺物理机理，建立传感器因果关系模型；S2：沿因果关系路径进行时序对齐、异常传播建模和根因定位；S3：基于图注意力网络的自适应智能决策；本申请通过建立传感器间的物理因果关系模型，实现因果关系驱动的时序对齐和异常检测，并结合图注意力网络的自适应智能决策和预测式反馈优化，解决了现有技术中时序对齐精度不高、异常检测缺乏根因分析、系统决策不够智能等技术问题。