一种碳化硅衬底中小型堆垛层错缺陷的多模态检测方法

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一种碳化硅衬底中小型堆垛层错缺陷的多模态检测方法
申请号:CN202511323879
申请日期:2025-09-17
公开号:CN120820550B
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明属于碳化硅缺陷检测技术领域,具体涉及一种碳化硅衬底中小型堆垛层错缺陷的多模态检测方法,包括以下步骤:对待测碳化硅衬底进行光致发光成像,得到小型堆垛层错缺陷的候选区域;对所述候选区域进行显微光致发光光谱二维映射扫描,得到候选区域内光谱强度映射图像;构建多模态匹配模型,并对光谱强度映射图像和光致发光成像进行空间配准,通过计算加权像素重叠率确认单个小型堆垛层错缺陷;对单个小型堆垛层错缺陷进行显微光致发光光谱二维映射扫描,确定缺陷形貌与尺寸。该方法具有高灵敏度与高分辨率的优点,适用于大尺寸碳化硅衬底缺陷的快速检测与在线质量控制,具有良好工业应用前景。
技术关键词
堆垛层错缺陷 碳化硅衬底 光致发光 像素 特征点 成像 多模态 缺陷检测技术 SiC衬底 线状缺陷 计算方法 尺寸缺陷 人工标记 图像匹配 激光光源 强度 长宽比 大尺寸
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沪ICP备2023015588号