一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种逆光刻反演方法、装置、设备及存储介质，通过接收待处理芯片图案；确定所述待处理芯片图案的角点；根据预设的圆角化参数，对所述角点进行圆角化处理，在所述待处理芯片图案的内部生成圆角变换图案；对包括所述圆角变换图案的待处理芯片图案进行栅格化，并为每一个栅格赋值，得到掩膜目标图像分布；根据所述掩膜目标图像分布，确定掩膜像素分布；将所述掩膜像素分布输入预设的光学模型，经过多次迭代得到掩膜最佳图案分布。本发明中将光学模拟中的空间强度借助sigmod函数转化为sigmod图像，提升了迭代过程的收敛效率，同时也降低了算力消耗与计算耗时，进而提升了集成电路芯片的曝光质量。