一种光学芯片及其制备方法

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一种光学芯片及其制备方法
申请号:CN202410727563
申请日期:2024-06-05
公开号:CN118571987A
公开日期:2024-08-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种光学芯片及其制备方法。所述方法包括:提供半导体基底,包括硅衬底、覆盖硅衬底第一表面的层间介质层,覆盖层间介质层的底层金属层、覆盖底层金属层的金属间介质层、覆盖金属间介质层的顶层金属层;形成与顶层金属层相接触的第一连接部;形成贯穿硅衬底并与底层金属层靠近硅衬底的表面相接触的硅通孔互连结构;于硅衬底第二表面形成与硅通孔互连结构相接触的第二连接部。通过采用硅通孔技术,通过硅通孔互连结构将底层金属层通过硅衬底背部连接部来实现与顶层金属层的电连接,可省去在金属间介质层进行通孔刻蚀连接工艺,还可以有效改善光学芯片仅由下层Ti/TiN层+AlCu层组成的两层金属层结构中AlCu扩散导致的通孔连接异常问题。
技术关键词
硅通孔互连结构 硅衬底 金属间介质层 半导体基底 光学元件 沟槽隔离结构 层间介质层 芯片 图形化掩膜层 叠层结构 硅通孔技术 金属层结构 通孔侧壁 贯穿硅 焊盘
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