新型集成电路功率器件

本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体是一种新型集成电路功率器件，包括有芯片，所述芯片的背部设置有多层金属结构，所述芯片和多层金属结构均设置在金属框架的上端。本发明采用扩散焊接的方式代替了传统焊料焊接，能在较低温度下实现芯片与金属框架之间的固定，显著降低了热应力，减少了芯片裂纹和焊层剥离的风险，从而提升了整个封装结构的长期可靠性和热循环稳定性。