MEMS结构、MEMS结构的制作方法和MEMS传感器

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MEMS结构、MEMS结构的制作方法和MEMS传感器
申请号:CN202410737160
申请日期:2024-06-06
公开号:CN118598068A
公开日期:2024-09-06
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种MEMS结构、MEMS结构的制作方法和MEMS传感器。所述MEMS结构包括:可动层、电极层和绝缘层;所述电极层设置于所述绝缘层上,所述可动层设置于所述电极层上,且所述可动层与所述电极层之间设置有可动间隙;所述电极层上的设定位置处设置有第一形变区,所述绝缘层不延伸至所述第一形变区,使所述可动层抵触到所述第一形变区时,所述第一形变区具有形变空间。本申请提供的MEMS结构实现了在不增加芯片的额外尺寸的情况下,避免了可动层的崩边、碎裂等情况的发生,提高了MEMS结构的可靠性。
技术关键词
MEMS结构 凸台结构 电极 MEMS传感器 衬底 盖体 腔体 芯片 尺寸
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