晶闸管器件、芯片及其制备方法

一种晶闸管器件、芯片及其制备方法。其中，所述晶闸管器件的制备方法包括以下步骤：在半导体层的阴极面制备台面结构；在所述半导体层的阴极面及阳极面制备P型掺杂结构；在所述台面结构制备N型掺杂结构。本发明的技术方案通过阴极台面结构实现掺杂扩散结构的自对准制备，简化了曲面结的制备工艺，提高了形貌控制的精确性，同时降低了工艺成本。