一种半导体芯片光刻胶剥离液及其制备方法与应用

本发明涉及一种半导体芯片光刻胶剥离液的制备方法与应用。所述的半导体芯片光刻胶剥离液，按照重量份计算，包括如下组分：复合功能剂1‑10份；有机溶剂60‑90份；有机胺碱1‑20份；金属保护剂0.1‑2.5份，其中，所述的复合功能剂包括羟基酰胺类化合物和氨基苯甲酸类化合物。本发明剥离液使用复合功能剂，增加了其润湿性、去胶效果稳定等多种优良性能，且对芯片表面温和无腐蚀。采用的有机胺碱，不仅保持碱性条件下提高去胶性能，而且能有效吸附芯片上附着的光刻胶残留物、光刻图案污染物，使其稳定可溶，能够从芯片上完全清洗去除。本发明剥离液对芯片清洗工艺无特殊要求，无需其他辅助措施工艺配合，即能保持去胶效果，且不会引起不必要的芯片损伤。