一种快速计算半导体场效应管工艺波动效应的方法

本发明提供一种快速计算半导体场效应管工艺波动效应的方法，包括TCAD计算半导体场效应管稳态解一次，获得参考电流值及参考转移特性曲线；生成工艺波动随机分布样本；计算电势格林函数和电流格林函数，并通过离散化处理及对工艺波动响应的非线性叠加，计算电极处的电流波动；并将电流波动与参考电流值相加，获得特定工艺波动下的电流值；并通过变化工艺波动随机分布样本及变化栅极电压，获得不同波动情况下半导体场效应管的转移特性曲线族，并由此推导器件电学特性参数的分布。本发明仅需TCAD计算稳态解一次，并且考虑了器件的非线性扰动，降低了快速求解的模型误差，在保证计算效率的同时保障了求解精度。