一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法和高灵敏谐振式差压传感器

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一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法和高灵敏谐振式差压传感器
申请号:CN202410761677
申请日期:2024-06-13
公开号:CN118730382B
公开日期:2024-12-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法和高灵敏谐振式差压传感器。其中高灵敏谐振式差压传感器的制备方法通过多晶硅进行真空封装,能有效解决硅‑玻璃/硅‑硅键合的真空封装方案晶圆键合成品率、晶圆键合封装效率低等问题;在对步骤S1中刻蚀出的凹槽进行密封时,本发明通过结构设计,采用宽度不一样的第一隔离槽和第二隔离槽,使需要密封的凹槽宽度由宽变窄,从而在第一隔离槽的出口处能够完全覆盖一层二氧化硅和多晶硅,对第一隔离槽内部的微空洞进行密封,因此可以使用较小的封装尺寸实现较好的封装效果,完成局部封装。
技术关键词
谐振式差压传感器 二氧化硅 谐振器 多晶硅 气相沉积法 传感器芯片 低压 电极 分隔槽 SOI片 单晶硅 氮化硅 锚点 遮蔽层 硅烷 真空 外露 氢氟酸 凹槽 缝隙
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