一种低腐蚀芯片光刻胶剥离液、其制备方法及应用

本发明提供一种低腐蚀芯片光刻胶剥离液、其制备方法及应用，所述低腐蚀芯片光刻胶剥离液包括重量配比如下的各组分：胺类化合物5‑15份；酰胺类溶剂60‑80份；羟基化萘醌4‑10份；醌类盐0.1‑0.5份。本发明低腐蚀芯片光刻胶剥离液在保证去胶能力的同时，通过羟基化萘醌和醌类盐的协同作用，一方面在金属表面形成保护膜，另一方面作为氧化还原中心降低电化学腐蚀，从而对Al、Ni金属电极具有很好的保护效果，能够有效抑制其腐蚀，延长寿命。本发明低腐蚀芯片光刻胶剥离液在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。