数据转移电路、SRAM存储电路、近存卷积运算单元及芯片系统

本申请提供一种数据转移电路、SRAM存储电路、近存卷积运算单元及芯片系统，所述数字转移电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述存储电路的第一位线连接；所述第二晶体管的栅极与所述存储电路的第二位线连接；所述第一晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第二晶体管的第一极与所述第三晶体管的第一极连接；所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极分别与地连接；所述第三晶体管的第二极与所述存储电路的第一选择线连接；所述第四晶体管的第二极与所述存储电路的第二选择线连接；所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极分别与第一控制信号连接。