半导体转移特性的测量方法和测量系统

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半导体转移特性的测量方法和测量系统
申请号:CN202410824919
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118731624A
公开日期:2024-10-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了成本低、测试效率高、体积小、精度高的半导体转移特性的测量方法和测量系统。方法包括步骤:步骤100,将待测元件接收栅极电压模拟信号后输出的漏极电流模拟信号转换为测试电压模拟信号;步骤200,对测试电压模拟信号进行第一滤波处理、放大处理和第二滤波处理;对栅极电压模拟信号进行滤波处理;步骤300,将测试电压模拟信号转换为测试电压数字信号;将栅极电压模拟信号转换栅极电压数字信号;步骤400,处理测试电压数字信号和栅极电压数字信号,得到栅极电压模拟信号和漏极电流模拟信号的关系数据;使栅极电压模拟信号从小到大线性变化;当测试电压数字信号≥预设阈值时,切换第一电阻为第二电阻以及切换第一放大倍数为第二放大倍数。
技术关键词
栅极 测量方法 半导体 可调电源单元 多路复用器 系统级芯片 低内阻 数字模拟转换器 滤波 待测元件 数据采集单元 电阻值 电流 电压处理单元 放大器 模数转换单元 电路
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