一种功率芯片超薄化的制造工艺

本发明提供一种功率芯片超薄化的制造工艺，包括以下步骤：前道正面工艺、正面贴膜工艺、背面预减薄工艺、背面Taiko减薄工艺、背面湿法腐蚀工艺、背面金属沉积工艺、正面UV照射工艺、Taiko真空贴片工艺、正面撕膜工艺、Taiko环切工艺、最终生产出超薄片产品。本发明提供了一种功率芯片超薄化的制造工艺，本发明受晶圆减薄背金过程始终带有保护性载体能够有效降低破片率，以及现在使用的减薄贴片撕膜一体化设备的先贴片后撕膜过程启发，加入使用高耐温耐酸UV保护膜材料作为支撑保护材料。