一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液、其制备方法及用途

本发明涉及一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液、其制备方法及用途。所述的光刻胶的剥离液，按照重量份计算，包括如下组分：有机胺10‑20份；润湿剂10‑30份；有机溶剂50‑80份；缓蚀剂0.2‑1份。本发明采用了复合缓蚀剂体系，其中的巯基可以较好的吸附在砷化镓表面，形成较好的保护层，同时可以对蚀刻液中游离的砷离子进行螯合，进一步减少腐蚀；同时氮唑类的缓蚀剂可以吸附在镓离子上，在表面形成互补的保护层，进而减少了剥离液中的腐蚀。采用复合极性有机溶剂体系，能够提高各物质的溶解性的同时，提高溶解在剥离液中的光刻胶的分散性。