一种高温高压全密封硅堆

本发明公开一种高温高压全密封硅堆，选用碳化硅作为芯片的基础材料；采用纳米银膏对碳化硅芯片和引线进行焊接串联形成芯片组件；对硅堆外壳进行再设计，采用陶瓷材料制备外壳主体，通过隔离岛将芯片之间的绝缘电压提升至12KV，外部引出两个螺纹陶瓷的引出端直接包住阴极和阳极，扩大了硅堆的放电距离，从而提高了绝缘电压；在灌胶方面，采用由第一组分胶和第二组分固化剂以重量配比140:100组成的灌封胶对合片后的芯片组件实施全密封灌胶，防止加高压时出现空气电离而出现打火的现象；结合本发明提出的纳米银膏真空焊接曲线，使制备出的硅堆满足结温300ºC，反向工作电压10KV的技术要求。