一种热电堆芯片及热电堆芯片的制备方法

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一种热电堆芯片及热电堆芯片的制备方法
申请号:CN202410928367
申请日期:2024-07-11
公开号:CN118765152A
公开日期:2024-10-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种热电堆芯片,包括:衬底,所述衬底中部开设有空腔;一隔热结构,设置在所述衬底上表面,并过关于所述隔热结构的中心中心对称的一第一支撑臂以及一第二支撑臂,悬空在所述空腔上方的开口上;热电堆结构,设置在所述隔热结构中;所述热电堆结构中包括:一热端,通过所述第一支撑臂连接到所述衬底;一冷端,通过所述第二支撑臂连接到所述衬底;所述热端连接到所述衬底的热传导距离与所述冷端连接到所述衬底的热传导距离相等。本发明还包括对应热电堆芯片的热电堆芯片制备方法。本发明提供的热电堆芯片及其制备方法能够适用于温度变化较强的场景,适用性更强,且工作稳定性高,热电堆芯片的测量准确性大大提升。
技术关键词
热电堆结构 隔热结构 红外线反射层 衬底 红外线吸收层 多晶硅结构 支撑臂 轮廓区域 芯片 电极 接触孔 中心对称 介质 导电层 热传导 热反射结构 磷硅玻璃层 空腔
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