一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法

AITNT
正文
推荐专利
一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法
申请号:CN202410954688
申请日期:2024-07-17
公开号:CN118776399A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法,属于火工品技术领域。结构包括:硅衬底,桥区,重掺杂多晶硅,金属电极层。方法包括:(1)多晶硅厚度的确定方法;(2)解决光刻胶锯齿的方法;(3)超厚多晶硅厚度的刻蚀方法;(3)超厚金属电极层的刻蚀方法。解决了现有SCB火工品H桥中难以实现超厚多晶硅薄膜、超厚金属电极层刻蚀困难的问题。可广泛应用于SCB火工品火半导体桥芯片的制备中。
技术关键词
半导体桥芯片 多晶硅厚度 金属碳化物纳米粒子 金属硫化物纳米粒子 光刻胶 金属氧化物纳米粒子 光刻曝光 底部抗反射涂层 金属纳米粒子 显影液 金属电极层 顶部抗反射涂层 表面涂布 金属氮化物 刻蚀方法 碱性刻蚀液
系统为您推荐了相关专利信息
1
具有原位重编辑能力磁性微纳机器人的制备和编辑方法
磁驱动 微纳机器人 柔性铰链 光刻胶 海尔贝克阵列
2
一种双芯片封装结构及其制备方法
双芯片封装结构 金属布线层 布线金属层 背面电极 种子层
3
一种多光谱堆叠芯片
堆叠芯片 光子晶体 可见光 增透结构 纳米柱阵列
4
一种全光纤完美涡旋光束产生器及其制备方法
光束产生器 螺旋锥 无芯光纤 基底 单模光纤
5
一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro-LED器件及其制备方法
LED器件 钙钛矿纳米 光致发光 钙钛矿前驱体溶液 LED阵列器件
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号