摘要
一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法,属于火工品技术领域。结构包括:硅衬底,桥区,重掺杂多晶硅,金属电极层。方法包括:(1)多晶硅厚度的确定方法;(2)解决光刻胶锯齿的方法;(3)超厚多晶硅厚度的刻蚀方法;(3)超厚金属电极层的刻蚀方法。解决了现有SCB火工品H桥中难以实现超厚多晶硅薄膜、超厚金属电极层刻蚀困难的问题。可广泛应用于SCB火工品火半导体桥芯片的制备中。
技术关键词
半导体桥芯片
多晶硅厚度
金属碳化物纳米粒子
金属硫化物纳米粒子
光刻胶
金属氧化物纳米粒子
光刻曝光
底部抗反射涂层
金属纳米粒子
显影液
金属电极层
顶部抗反射涂层
表面涂布
金属氮化物
刻蚀方法
碱性刻蚀液
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