一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法

本发明提供了一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法。该方法包括在薄膜铌酸锂光波导芯片表面沉积保护层、涂覆光刻胶、切割、去胶和刻蚀抛光的步骤，所述刻蚀抛光的抛光液含有NH4OH和H2O2。本发明的抛光方法，通过采用含有NH4OH和H2O2的抛光液对薄膜铌酸锂波导端面进行化学腐蚀抛光，得到平滑的光波导端面，具有成本低，效率高，耗时短的优点。