半导体器件的制备方法、半导体器件及存储芯片

本申请公开了一种半导体器件的制备方法、半导体器件及存储芯片，半导体器件包括第一区和第二区，半导体器件的制备方法包括：在半导体基板一侧形成位于第一区的电容元件；在电容元件背离半导体基板的一侧形成介质层，介质层包括位于第一区的第一部分和位于第二区的第二部分，第一部分包括位于背离半导体基板一侧的第一表面，第二部分包括位于背离半导体基板一侧的第二表面，第一表面位于第二表面背离半导体基板一侧；在介质层背离半导体基板一侧形成刻蚀阻挡层，并对刻蚀阻挡层图案化以暴露第一部分；对第一部分进行减薄处理，以使第一部分背离半导体基板的一侧表面与第二表面平齐。本申请提供的半导体器件的制备方法可提升半导体器件的制备良率。