一种高密度扇出封装结构及其制造方法

本发明公开一种高密度的扇出封装结构，包括芯片；第一互连层，其设置于所述芯片表面，包括重布线路；集成器件，所述集成器件设置于所述第一互连层上；金属柱，其第一端与所述第一互连层连接；塑封层，其包覆所述金属柱及所述集成器件，但露出所述金属柱的第二端面及所述集成器件的背部；第二互连层，其设置于所述塑封层的第二表面，且包括重布线电路，所述重布线电路与所述金属柱的第二端和集成器件电连接；以及外接焊球，其设置与所述第二互连层的外接焊盘处。封装内部集成了ASIC、DDR芯片和IPD集成无源器件，封装面积更小，成本更低且缩短了工艺周期，可应用于服务器、数据中心、高性能计算等领域。