一种全环绕源漏栅极的IGZO晶体管及反相器单元

本发明公开一种全环绕源漏栅极的IGZO晶体管及反相器单元。IGZO晶体管，包括：全环绕源极、全环绕漏极、全环绕栅极、栅极介质层、IGZO沟道层、保护层。本发明全环绕源漏栅极是源极、漏极和栅极完全将沟道层IGZO包围，其中源极和漏极将沟道层包围可以有效增加电流的传输路径，降低寄生电容和接触电阻，从而提高器件的开关速度、导通电流，降低信号延迟、噪声和功耗；栅极的全环绕结构可实现对沟道的全面控制并减少短沟效应，从而提高器件的可微缩性和稳定性。反相器单元由上述IGZO晶体管和硅晶体管构成，有利于降低漏电，堆叠更多的逻辑单元，从而降低芯片的功耗、减少面积、提升性能。