一种玻璃基量子点Micro MIP器件方法

AITNT
正文
推荐专利
一种玻璃基量子点Micro MIP器件方法
申请号:CN202411037724
申请日期:2024-07-31
公开号:CN119029100A
公开日期:2024-11-26
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体显示技术领域,具体公开了一种玻璃基量子点Micro MIP器件方法,包括:S1、准备原材料;S2、Bumpi ng工艺;S3、临时键合;S4、激光剥离;S5、巨量转移;S6、量子点槽;S7、量子点喷涂;S8、量子点封装;S9、激光剥离;S10、巨量焊接;S11、器件切割;S12、器件分测;本发明通过量子点喷涂技术,实现了蓝光到红光与绿光的色彩转换,提升了显示器件的色彩饱和度和色域范围,从而提高了显示效果,并采用玻璃基板和蓝宝石衬底等具有良好散热性能的材料,有助于改善器件的散热效果,确保长时间稳定工作,利用巨量转移和激光巨量焊接技术,能够在短时间内完成大量芯片的转移和焊接,显著提高了生产效率。
技术关键词
器件方法 蓝宝石衬底 量子点材料 半导体显示技术 制作金属凸块 玻璃基板 长时间稳定工作 封装材料 蓝宝石表面 激光焊接技术 蓝宝石晶片 色彩 量子点层 封装芯片 感光材料 喷涂技术
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种LED芯片及其提亮方法
LED芯片 蓝宝石衬底表面 GaN层 制作银镜 外延
2
一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用
放大器 叉指换能器 金属互联层 电极 GaN缓冲层
3
一种胶体量子点焦平面芯片及其制备方法
量子点光敏薄膜 量子点材料 基底 载流子迁移率 金属氧化物薄膜
4
一种LED柔性显示封装方法及柔性显示产品
发光单元 正电极 玻璃基板 LED芯片 柔性显示产品
5
Micro-LED外延结构的制造方法及Micro-LED芯片
GaN层 LED外延结构 应力释放层 量子阱发光层 衬底层
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号