T型栅极平面超结MOSFET及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种T型栅极平面超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置栅极介质层形成于N型漂移层的凹槽侧壁、凹槽底部以及第一P型基区、第二P型基区上，且栅极介质层包裹栅极多晶硅层，栅极多晶硅层为T型结构，并且栅极多晶硅层的垂直部深入至相邻的第一P柱和第二P柱之间，从而在N型漂移层内形成电子电流高速通道，JFET区内的电子电流密度大幅提升，成功消除了JFET效应，增大了器件的饱和电流，解决了传统平面SJ MOS存在的JFET效应的问题。