双向功率模块封装结构及封装方法

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双向功率模块封装结构及封装方法
申请号:CN202411078534
申请日期:2024-08-07
公开号:CN119133166A
公开日期:2024-12-13
类型:发明专利
摘要
公开了一种双向功率模块封装结构及封装方法,结构中,第一接入端配置成IGBT功率模块的进线端子,第二接入端配置成IGBT功率模块的出线端子,正向功率模块设于第一接入端与第二接入端之间,其包括三个叠层排列的正子模块,三个正子模块与第一接入端和第二接入端连接,DBC基板设于第一接入端与第二接入端之间,第一连接端一端连接第一接入端,另一端连接DBC基板,第二连接端一端连接第二接入端,另一端连接DBC基板,IGBT芯片设于DBC基板上表面,FRD芯片设于DBC基板上表面且间隔IGBT芯片布置,键合线连接FRD芯片与IGBT芯片;反向功率模块设于第一接入端与第二接入端之间。
技术关键词
功率模块封装结构 DBC基板 IGBT芯片 FRD芯片 键合线 出线端子 封装方法 叠层 功率芯片 接线 负极 并联结构 焊接工艺 水平板 电气
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