一种低金属腐蚀的芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用

本发明提供一种低金属腐蚀的芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用，所述低金属腐蚀的芯片CMP后清洗液包括重量配比如下的各组分：氨基化合物15‑30份；螯合剂10‑30份；pH调节剂0.001‑5份；超纯水70‑95份。所述低金属腐蚀的芯片CMP后清洗液为酸性。本发明还公开了所述低金属腐蚀的芯片CMP后清洗液的制备方法及应用。本发明低金属腐蚀的芯片CMP后清洗液用于半导体芯片的清洗，能在保持清洗效果的同时，改善对Cu的腐蚀抑制效果。