一种纳米薄膜闪耀光栅耦合器

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一种纳米薄膜闪耀光栅耦合器
申请号:CN202411092288
申请日期:2024-08-09
公开号:CN118938390A
公开日期:2024-11-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种纳米薄膜闪耀光栅耦合器,包括依次设置的波导区域、模斑转换器区域和耦合器区域,所述耦合区域包括若干个光栅周期,每个光栅周期由依次设置的亚波长光栅结构区域、超薄波导区域和厚波导区域组成;所述亚波长光栅结构区域内等间距的排列设置有若干个光栅蚀刻孔,所述光栅蚀刻孔均为贯穿光栅耦合器层顶部与底部的通孔;所述超薄波导结构区域厚度与亚波长光栅结构区域一致;所述厚波导区域厚度大于超薄波导区域厚度和亚波长光栅结构区域厚度,形成阶梯状结构,以提升光栅耦合器的方向性,从而增大耦合效率。该光栅耦合器具有高耦合效率、大制作容差等优点,为实现集成光电子芯片的广泛应用奠定了基础。
技术关键词
闪耀光栅 纳米薄膜 亚波长光栅结构 阶梯状结构 模斑转换器 集成光电子芯片 波导结构 切趾光栅 光栅耦合器 蚀刻 耦合器具 周期 横磁模 横电模 磷化铟
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