一种超导量子芯片及其制备方法

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一种超导量子芯片及其制备方法
申请号:CN202411119127
申请日期:2024-08-14
公开号:CN119012901A
公开日期:2024-11-22
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种超导量子芯片及其制备方法。所述超导量子芯片包括衬底、第一超导屏蔽层、一个或多个盖板、多个屏蔽立壁及一个或多个超导量子器件。衬底包括一个或多个器件设置区,至少部分器件设置区在超导量子芯片信号传导方向上相对的两侧设有屏蔽槽;第一超导屏蔽层位于每一屏蔽槽中;每一器件设置区之上设有一个相对的盖板;每一器件设置区在超导量子芯片信号传导方向上相对的两侧均设有屏蔽立壁;每一个超导量子器件设于一个器件设置区。上述超导量子芯片,能够将衬底中的量子器件传输信号屏蔽在相应区域内,提高信号传输效果,防止内外信号干扰。尤其对于具有多个器件设置区的超导量子芯片而言,能够减小不同区域间的电磁干扰。
技术关键词
超导量子芯片 衬底 屏蔽层 接地端 氮化钛 信号 金属铝 谐振腔 外露 层叠
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