基于GaN集成全光谱的光子芯片及其制备方法

本发明提供了一种基于GaN集成全光谱的光子芯片的制备方法，首先制备金刚石氮化镓键合片；在获得的键合片上生长非掺杂GaN层；并在非掺杂GaN层表面依次生长n‑InGaN层、n‑AlGaN层、重掺杂n‑GaN层；在以上重掺杂n‑GaN层上生长周期性的InGaN/GaN、AlGaN/GaN、GaNSb/GaN量子阱层，生长过程中通过对以上各层中的化合物Ⅲ‑Ⅴ族合金组分比例外延调节，并通过刻蚀获得可以覆盖整个可见光区域、部分红外线和深紫外线区域的量子阱发光层；在量子阱层表面交替多次生长P型掺杂AlGaN层、P型重掺杂GaN层；生长IOT透明导电层。本发明的方法制备获得了基于GaN材料集成的全光谱光子芯片，为实现太空、空中和水下环境的无缝连接提供了基础。