一种红外偏振探测器制备方法及红外偏振探测器

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一种红外偏振探测器制备方法及红外偏振探测器
申请号:CN202411134440
申请日期:2024-08-19
公开号:CN118962879A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种红外偏振探测器制备方法及红外偏振探测器,属于红外偏振技术领域。采用硅衬底作为衬底,并在硅衬底表面形成光栅后,进一步以光栅为掩膜向下刻蚀硅衬底,在硅衬底内部形成沟槽,得到光栅和沟槽两种结构叠加形成的偏振结构,具有以下有益效果:介质层附着力与结构更加稳定;能够形成陡度优于光栅的高陡直度偏振结构,有助于提升消光比;基于标准硅刻蚀技术能够形成良好线宽;硅衬底的厚度可以比传统碲镉镉衬底更厚一些,对厚度均匀性要求更低;降低了传统碲锌镉基碲镉汞红外偏振探测器的片上微图形的加工难度。
技术关键词
红外偏振探测器 硅衬底 读出电路 微透镜结构 阻挡层 芯片 凸透镜 沟槽 涂覆光刻胶 刻蚀设备 掩膜 金属沉积 介质 金属栅条 偏振技术 金属光栅
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