一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺

本发明公开了一种减小光刻失真的I C芯片石英基板光刻工艺，涉及I C芯片光刻技术领域，为了解决光刻时图案精度不佳的问题。本发明通过使用PSM技术对光刻图案进行相移设计，能够进一步增强光刻图形的对比度，减少光刻过程中的光晕效应，使得图案的边缘更加清晰和锐利，有助于实现更小的线宽和更高的图案密度，在相移图案设计中，通过添加辅助图形、精确控制相移区域的位置和大小，以及设定合理的相位移位值，可以进一步优化光刻效果。