一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用

本申请提供了一种半导体气体传感器芯片及其制备方法与应用，该芯片包括：衬底层、敏感材料层、过滤层和泡沫陶瓷；所述敏感材料层包括Pd‑SnO2、Pd‑In2O3和Pd‑WO3；所述过滤层包括如下制备原料：Pd源、九氟己基三甲氧基硅烷和HZSM‑5分子筛。本申请通过对敏感材料层和过滤层进行调控，从而制得了性能优异的传感器芯片。