逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆

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逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆
申请号:CN202411482541
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119855175A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆,包括衬底,位于衬底内的第一集电极掺杂区和第二集电极掺杂区,以及位于衬底内的第一短路掺杂区。衬底包括沿第一方向相对的第一表面和第二表面,第二表面暴露出第一集电极掺杂区和第二集电极掺杂区,第二集电极掺杂区包括第一区和第二区,第二区与第一区远离第二表面的一侧接触。第二表面还暴露出第一短路掺杂区,第一短路掺杂区位于第一集电极掺杂区与第一区之间,且第二区与第一短路掺杂区远离第二表面的一侧接触。因此电子需要绕过第二区才能到达第一短路掺杂区,因此在第二区上方形成短路电阻区,增加了短路电阻区的短路电阻,从而实现改善电压回跳的现象。
技术关键词
绝缘栅双极型晶体管 掺杂区 载流子存储区 衬底 短路电阻 光刻工艺 导电 集电极层 掩膜 尺寸 芯片 车辆 椭圆形 电子 矩形 电压
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